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中芯國(guó)際火速回A:最快8月報(bào)會(huì)注冊(cè) 產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)替代化加速

2020-06-03 08:03 | 來(lái)源:e公司官微 | 作者:俠名 | [科創(chuàng)板] 字號(hào)變大| 字號(hào)變小


據(jù)證券時(shí)報(bào)·e公司記者觀(guān)察,目前已上市的105家科創(chuàng)板企業(yè),從受理到報(bào)會(huì)注冊(cè)平均用時(shí)121天,其中速度最快的是中國(guó)通號(hào),僅歷時(shí)約72天。若以該效率計(jì)算,中芯國(guó)際最快或?qū)?..

    

 

    國(guó)人矚目!中芯國(guó)際火速回A,最快8月報(bào)會(huì)注冊(cè)!直追國(guó)際先進(jìn)工藝,產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)替代化加速

        王一鳴 e公司官微

        內(nèi)地芯片制造龍頭中芯國(guó)際的科創(chuàng)板IPO正火速推進(jìn)。

        在宣布回歸A股不到一個(gè)月,6月1日晚間,中芯國(guó)際便出現(xiàn)在了上交所科創(chuàng)板的受理企業(yè)名單之列。

        當(dāng)晚招股書(shū)披露,中芯國(guó)際本次擬發(fā)行不超過(guò)16.86億股新股,預(yù)計(jì)募資200億元,計(jì)劃分別投入中芯南方正在進(jìn)行的12英寸芯片SN1項(xiàng)目(80億元),先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目?jī)?chǔ)備資金(40億元),補(bǔ)充流動(dòng)資金(80億元)。

        就在5月15日,國(guó)家大基金二期與上海集成電路基金二期同意分別向中芯南方注資15億美元、7.5億美元,后者注冊(cè)資本將增至65億美元。中芯南方的“12英寸芯片SN1項(xiàng)目”規(guī)劃月產(chǎn)能為3.5萬(wàn)片晶圓(工藝技術(shù):14納米及以下),目前已建成月產(chǎn)能6000片。該項(xiàng)目是中國(guó)大陸第一條FinFET工藝生產(chǎn)線(xiàn),也是中芯國(guó)際14納米及以下先進(jìn)工藝研發(fā)和量產(chǎn)的主要承載平臺(tái)。

        據(jù)證券時(shí)報(bào)·e公司記者觀(guān)察,目前已上市的105家科創(chuàng)板企業(yè),從受理到報(bào)會(huì)注冊(cè)平均用時(shí)121天,其中速度最快的是中國(guó)通號(hào),僅歷時(shí)約72天。若以該效率計(jì)算,中芯國(guó)際最快或?qū)⒂?月12日前后進(jìn)入報(bào)會(huì)注冊(cè)環(huán)節(jié)。而本次公司能否借科創(chuàng)板上市的“東風(fēng)”加快先進(jìn)制程上的追趕計(jì)劃,受到各界關(guān)注。

        占有率位居全球第四

        中芯國(guó)際是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一,也是中國(guó)大陸技術(shù)最先進(jìn)、規(guī)模最大、配套服務(wù)最完善、跨國(guó)經(jīng)營(yíng)的專(zhuān)業(yè)晶圓代工企業(yè),主要為客戶(hù)提供0.35微米至14納米多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)、不同工藝平臺(tái)的集成電路晶圓代工及配套服務(wù)。

        在邏輯工藝領(lǐng)域,中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一家實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)的集成電路晶圓代工企業(yè),代表中國(guó)大陸自主研發(fā)集成電路制造技術(shù)的最先進(jìn)水平;在特色工藝領(lǐng)域,中芯國(guó)際陸續(xù)推出中國(guó)大陸最先進(jìn)的24納米 NAND、40納米高性能圖像傳感器等特色工藝,與各領(lǐng)域的龍頭公司合作,實(shí)現(xiàn)在特殊存儲(chǔ)器、高性能圖像傳感器等細(xì)分市場(chǎng)的持續(xù)增長(zhǎng)。

        中芯國(guó)際港股走勢(shì)圖

        財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示,2017-2019年公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別約為213.9億元、230.17億元、220.18億元;同期對(duì)應(yīng)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)分別約為12.45億元、7.47億元、17.94億元。2017-2019年中芯國(guó)際研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例分別為16.72%、19.42%及21.55%。

        股東方面,截至2019年12月31日,中芯國(guó)際第一大股東大唐香港持股比例為17.00%,第二大股東鑫芯香港持股比例為15.76%,董事會(huì)現(xiàn)有14位董事,各股東提名的董事人數(shù)均低于董事總?cè)藬?shù)的二分之一,公司無(wú)控股股東和實(shí)際控制人。

        根據(jù)IC Insights公布的2018年純晶圓代工行業(yè)全球市場(chǎng)銷(xiāo)售額排名,全球排名前三的企業(yè)分別為臺(tái)積電、格羅方德和聯(lián)華電子,占有率分別為59%、11%和9%;中芯國(guó)際位居全球第四位,占有率為6%,在中國(guó)大陸企業(yè)中排名第一。

        回看本次募集資金項(xiàng)目,其中80億元將用于“12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目”,該項(xiàng)目的實(shí)施主體為中芯南方。據(jù)悉,“12 英寸芯片 SN1 項(xiàng)目”預(yù)計(jì)總投資90.59億美元,規(guī)劃月產(chǎn)能3.5萬(wàn)片,工藝技術(shù)水平為14納米及以下,目前已建成月產(chǎn)能6000片,募集資金主要用于滿(mǎn)足將該生產(chǎn)線(xiàn)的月產(chǎn)能擴(kuò)充到3.5萬(wàn)片的部分資金需求。中芯國(guó)際認(rèn)為,14納米及以下先進(jìn)工藝主要應(yīng)用于5G、人工智能、智能駕駛、高速運(yùn)算等新興領(lǐng)域,未來(lái)發(fā)展前景廣闊。

        本次募資中的40億元?jiǎng)t將用于公司先進(jìn)及成熟工藝研發(fā)項(xiàng)目?jī)?chǔ)備資金,其計(jì)劃用于14納米及以下的先進(jìn)工藝與28納米及以上的成熟工藝技術(shù)研發(fā)。

        與最先進(jìn)工藝差距幾何?

        據(jù)證券時(shí)報(bào)·e公司記者了解,當(dāng)前,全球最先進(jìn)的量產(chǎn)集成電路制造工藝已經(jīng)達(dá)到7納米至5納米,3納米技術(shù)則有望在2022年前后進(jìn)入市場(chǎng)。在中美貿(mào)易摩擦背景下,業(yè)內(nèi)最為關(guān)心的問(wèn)題或許莫過(guò)于,被稱(chēng)為華為最強(qiáng)代工“備胎”的中芯國(guó)際,其技術(shù)水平與最先進(jìn)的晶圓代工廠(chǎng)相比,還存在多少差距?如何助借科創(chuàng)板上市的“東風(fēng)”加快追趕步伐?

        半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,在集成電路晶圓代工領(lǐng)域,關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)能力是衡量企業(yè)技術(shù)實(shí)力的重要標(biāo)準(zhǔn)之一。例如,臺(tái)積電的10nm(納米)工藝于2016年量產(chǎn),7nm量產(chǎn)時(shí)間是在2018年;格羅方德的12nm工藝同樣于2018年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);聯(lián)華電子的14nm工藝量產(chǎn)時(shí)間為2017年;中芯國(guó)際的14nm技術(shù)則于2019年進(jìn)入量產(chǎn),與最先進(jìn)晶圓廠(chǎng)仍存在著不小差距。

        從最新技術(shù)進(jìn)展看,招股書(shū)披露,在先進(jìn)制程領(lǐng)域,中芯國(guó)際已連續(xù)多年投入FinFET工藝技術(shù)研發(fā),目前公司第一代14納米FinFET技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段,第二代FinFET技術(shù)(又稱(chēng)N+1工藝技術(shù))平臺(tái)已進(jìn)入客戶(hù)導(dǎo)入階段,并同步研發(fā)下一代先進(jìn)工藝技術(shù)。

        業(yè)內(nèi)對(duì)中芯國(guó)際上述新一代FinFET技術(shù)頗有期待。據(jù)長(zhǎng)期關(guān)注中芯國(guó)際的投資者向證券時(shí)報(bào)·e公司記者介紹,中芯國(guó)際的N+1工藝技術(shù),在功率和穩(wěn)定性方面,N+1和7nm工藝較為相似,但區(qū)別在于性能方面,和14nm相比,N+1工藝性能提約20%,市場(chǎng)基準(zhǔn)的(7nm工藝)性能提升應(yīng)該是35%。按其理解,中芯國(guó)際對(duì)N+1的目標(biāo)是低成本應(yīng)用,可以將成本相對(duì)市場(chǎng)上的7nm減少大約10%,因此是一個(gè)非常特殊的工藝節(jié)點(diǎn),但因?yàn)樾阅苌系牟罹啵胁荒艿韧?nm工藝。

        對(duì)于上述性能比較,中芯國(guó)際相關(guān)人士回應(yīng)記者時(shí)稱(chēng):相關(guān)工藝性能數(shù)據(jù)要在量產(chǎn)時(shí)才會(huì)宣布,建議以最后官方內(nèi)容為準(zhǔn)。

        盡管要迎頭趕上世界最先進(jìn)工藝仍有待時(shí)日,但機(jī)構(gòu)仍表達(dá)看好之情。中信建投在近日研報(bào)中指出,中芯國(guó)際14nm市場(chǎng)需求景氣向上,帶來(lái)更廣闊市場(chǎng)空間。同時(shí),由于突破FinFET工藝,“N+1”“N+2”代先進(jìn)工藝推進(jìn)有望超出預(yù)期,中芯國(guó)際在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)不斷突破,縮小與國(guó)際先進(jìn)大廠(chǎng)的差距;看好大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移給公司帶來(lái)的機(jī)會(huì)。

電鰻快報(bào)


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